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2020-07-15
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+2019-06-05
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RTP4-1200型快速退火爐快速熱處理退火爐簡稱 RTP（Rapid Thermal Processing Furnace），在吸收了生產(chǎn)制造工藝的基礎(chǔ)上自主研發(fā)了該款產(chǎn)品。該設(shè)備不但擁有極快的升溫速率200℃/S，而且在燒結(jié)工藝運行完結(jié)，直接將試樣在高溫區(qū)取出。實現(xiàn)物理狀態(tài)下的最快降溫。我們的工程師們巧妙地利用了冷壁工藝，在綠色節(jié)能環(huán)保的基礎(chǔ)上真正的實現(xiàn)了試樣的極速升降溫.多重保護(hù)功能，過溫報
HTR-4立式4寸快速退火爐（芯片熱處理設(shè)備）廣泛應(yīng)用在IC晶圓、LED晶圓、MEMS、化合物半導(dǎo)體和功率器件等多種芯片產(chǎn)品的生產(chǎn)，和歐姆接觸快速合金、離子注入退火、氧化物生長、消除應(yīng)力和致密化等工藝當(dāng)中，通過快速熱處理以改善晶體結(jié)構(gòu)和光電性能，技術(shù)指標(biāo)高、工藝復(fù)雜、專用性強。
HTR-01A快速退火爐系列采用紅外輻射加熱技術(shù)，可實現(xiàn)1-10片樣品同時進(jìn)行，可實現(xiàn)4寸晶圓片吋樣品快速升溫和降溫，同時搭配超高精度溫度控制系統(tǒng)，可達(dá)到的溫場均勻性，對材料的快速熱處理(RTP)、快速退火(RTA)、快速熱氮化(RTN)、快速熱氧化(RTO)及金屬合金化等研究和生產(chǎn)起到重要作用。 主要應(yīng)用領(lǐng)域： 快速熱處理(RTP)，快速退火(RTA)，快速熱氧化(RTO)，快速熱氮化(RT
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